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Phenom XL G3 是飛納推出的大倉(cāng)室臺(tái)式掃描電鏡，可用于薄膜材料表面缺陷分析，幫助觀察劃痕、顆粒、孔洞和結(jié)構(gòu)特征。

Phenom XL G3 平均成像時(shí)間約 40 秒，可對(duì)最大 100 x 100 mm 的樣品進(jìn)行分析，適合較大尺寸樣品或多樣品檢測(cè)場(chǎng)景。設(shè)備采用 CeB6 燈絲，電子光學(xué)放大倍數(shù)可達(dá) 200,000 X，分辨率優(yōu)于 8 nm，適用于日常質(zhì)檢、研發(fā)分析、失效分析和樣品測(cè)試等應(yīng)用。

該產(chǎn)品具備大倉(cāng)室樣品臺(tái)、低/中/高三種真空模式、背散射探測(cè)器，并可根據(jù)需求選配二次電子探測(cè)器和能譜探測(cè)器。具體配置和價(jià)格根據(jù)型號(hào)、功能及應(yīng)用需求確定，可通過(guò)平臺(tái)詢(xún)價(jià)/留言入口獲取選型建議，并預(yù)約試樣。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1. 大倉(cāng)室設(shè)計(jì)，可分析最大 100 x 100 mm 樣品。

2. 平均成像時(shí)間約 40 秒，適合多樣品觀察和日常檢測(cè)。

3. 電子光學(xué)放大倍數(shù)可達(dá) 200,000 X，分辨率優(yōu)于 8 nm。

4. 采用 CeB6 燈絲，使用壽命優(yōu)于 3000 小時(shí)。

5. 支持低、中、高三種真空模式，適合多類(lèi)材料樣品。

6. 標(biāo)配背散射探測(cè)器，可選配二次電子探測(cè)器和能譜探測(cè)器。

7. 臺(tái)式設(shè)計(jì)，適合實(shí)驗(yàn)室日常部署與使用。

8. 支持選型咨詢(xún)，可預(yù)約試樣。

應(yīng)用領(lǐng)域：

可用于薄膜材料表面缺陷分析、高分子薄膜檢測(cè)、包裝材料觀察、表面形貌分析和質(zhì)量控制。